講演情報
[23p-A202-2]ショットキー接合と明確に分離されたBPVEによるSnSの90°回転強誘電ドメインの確認
〇名苗 遼1、來村 颯樹1、張 益仁2、金橋 魁利1、西村 知紀1、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.理研)
キーワード：
半導体,非中心対称,二次元材料
バルク光起電力効果(BPVE)は非線形光学効果の一つであり， pn接合と比して単一材料で起電力が生じ，その起電力がバンド幅に制限されないという二つの利点を持つ．
二次元半導体SnSは強誘電体である．SnSのBPVEによる発電能力は桁違いに大きく，シリコンのpn接合に匹敵する程度と予測されている．
本研究では，強誘電体SnSを成長し，ショットキー接合起因の電流と分離されたBVPEによる電流を測定することで，ドメイン構造に対する知見を得る。
二次元半導体SnSは強誘電体である．SnSのBPVEによる発電能力は桁違いに大きく，シリコンのpn接合に匹敵する程度と予測されている．
本研究では，強誘電体SnSを成長し，ショットキー接合起因の電流と分離されたBVPEによる電流を測定することで，ドメイン構造に対する知見を得る。