講演情報
[23p-B204-4]量子経路干渉法によるn-GaAs中の電子-フォノン結合系における量子デコヒーレンス時間の定量評価
〇高木 一旗1,2、萱沼 洋輔1,3、中村 一隆1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.東工大物質理工、3.大阪公立大)
キーワード：
量子デコヒーレンス,電子フォノン結合系,フェムト秒パルス
n-GaAs中の電子-フォノン結合系における電子デコヒーレンス時間を定量的に評価した。アト秒精度で相対位相を制御した2連フェムト秒パルスの相対偏光を45度とし、量子経路干渉の変化について観測を試みた。実験的に観測された干渉形状は、理論計算と合わせた解析を行うことで、電子デコヒーレンス時間を定量的に決定できた。さらに、電子デコヒーレンス過程が光励起電子と周りの電子との散乱により起こっていることを明らかにした。