講演情報
[22a-61C-6]300～600℃の低温処理用ミニマルレーザ加熱装置の開発(Ⅲ)
〇佐藤 和重1,2、千葉 貴史1,2、寺田 昌男1,2、濱田 健吾1,2、原 史朗1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.産総研)
キーワード：
ミニマルファブ,レーザ加熱
低温(300〜600℃)処理用レーザ加熱装置の開発を進めている。開発初号機において、SOIウェハに形成したMOSデバイスのシンタリングを行うと、Alが溶ける問題が見られた。今回、その原因を探る実験を実施したので結果について報告する。