[22a-61C-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

11:15 〜 11:30

[22a-61C-9] B-C-Si膜化学気相堆積の表面反応過程におけるSiC結合の効果

大谷 真奈¹、室井 光子¹、〇羽深 等¹ (1.横国大院理工)

キーワード：

B-C-Si膜,化学気相堆積,Si-C結合

化学気相堆積（CVD）法において三塩化ホウ素(BCl₃)、ジクロロシラン(SiH₂Cl₂, DCS)とモノメチルシラン(SiH₃CH₃, MMS)の組合せによりホウ素（B）、炭素（C）と珪素(Si)からなる三元系膜を形成できることが報告[1, 2]されている。本報では、B-C-Si薄膜の形成において、膜中のSi-C結合がDCSの化学吸着に与える影響について考察した。