講演情報
[22p-12J-7]Ge基盤の溶液酸化についての検証
〇清水 玄1、土屋 雄太1、原田 星輝1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
キーワード：
ゲート絶縁膜
半導体素子作成プロセスにおいて現在主流である酸化膜成膜手法は基板の大口径化に伴い、均一な膜厚を得ることが難しい。そこで、本研究ではより温度の均一化が可能な溶液酸化法についての検証を行っている。先行研究の水を用いない溶液酸化が可能である結果より、GeO2の低い耐水性を回避した溶液酸化についての検証を行った。結果として、低い絶縁性は改善の余地があるものの、Ge基板の溶液酸化は可能であると結論づけた。