セッション詳細
[22p-12J-1~9]13.3 絶縁膜技術
2024年3月22日(金) 13:30 〜 15:45
12J (1号館)
渡邉 孝信(早大)
[22p-12J-1]ペロブスカイト酸化物エピタキシャル薄膜における微視的および巨視的なバンドオフセットの値とリーク電流の大きさの関係
〇田村 敦史1、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
[22p-12J-2]深層学習型汎用原子間ポテンシャルを用いた炭素含有シリコン酸化膜の弾性特性と原子ネットワーク構造の探索
〇榊間 大輝1、小川 京悟1、宮崎 桜子1、泉 聡志1 (1.東大工)
[22p-12J-3]カリウムイオンエレクトレット内のSiO5構造の検出方法の検討
〇(M1)桐越 大貴1、大畑 慶記1、洗平 昌晃1,2、石黒 巧真3、三屋 裕幸3、年吉 洋4、芝田 泰5、橋口 原5、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.鷺宮製作所、4.東大生産研、5.静大院工)
[22p-12J-4]Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出障壁高さの理論検討
〇影島 博之1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.名古屋大)
[22p-12J-5]非対称表面ポテンシャル分布がコンダクタンスカーブへ与える影響
〇田岡 紀之1、一野 祐亮1、清家 善之1、森 竜雄1 (1.愛工大)
[22p-12J-6]Cu-PMA法のアニール時間変化によるGeO2/Ge界面特性の変化
〇(M1)菅野 航太1、内田 遥太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.東京農工大学院工)
[22p-12J-7]Ge基盤の溶液酸化についての検証
〇清水 玄1、土屋 雄太1、原田 星輝1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
[22p-12J-8]GeO2膜の結合状態と耐水性の相関についての検証
〇石塚 啓太1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
[22p-12J-9]N2アニール処理を施したGeO2膜の特性の評価
〇(M1)土屋 雄太1、斉藤 基1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)