講演情報
[22p-12J-8]GeO2膜の結合状態と耐水性の相関についての検証
〇石塚 啓太1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
キーワード：
半導体
Ge-MOSで用いられるGeO2は一般に水溶性を持つという欠点を持つ．この欠点に対し，低温成膜によるイオン性結合割合の低減化をすることでGeO2が耐水性を獲得することがわかっている．しかし，この手法は酸化膜中の欠陥の存在を前提とするために絶縁性が低いという欠点がある．そこで本研究では耐水性と絶縁性の両立を目的とし，異なる温度での二段階堆積を行い検証を行う．