講演情報
[22p-12J-9]N2アニール処理を施したGeO2膜の特性の評価
〇(M1)土屋 雄太1、斉藤 基1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
キーワード：
アニール,絶縁膜技術,半導体
高移動度を有するGeによるGe-MOSFETの実現には、酸化膜であるGeO2膜の作製がキーポイントとなる。Ge/GeO2界面でのGeO脱離などが特性に与える影響が実用上の問題となるためである。本研究は、熱酸化によって成膜したGeO2膜にアニール処理を施すことによりそうした問題を改善する方法を提案するものである。