2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-21C-1~18]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年3月22日(金) 13:00 〜 18:00
21C (2号館)
山口 敦史(金沢工大)、 石井 良太(京大)、 今井 大地(名城大)
13:00 〜 13:15

[22p-21C-1]InGaN表面においてバンドベンディングがキャリア寿命に与える影響

〇市川 修平1,2、松田 祥伸3、道上 平士郎1、船戸 充3、川上 養一3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)
13:15 〜 13:30奨励賞エントリー英語発表

[22p-21C-2]Atomic force microscopy and scanning near-field optical microscopy on single quantum-well InGaN blue LEDs

〇(D)Zhaozong Zhang1, Ryota Ishii1, Kanako Shojiki1, Mitsuru Funato1, Daisuke Iida2, Kazuhiro Ohkawa2, Yoichi Kawakami1 (1.Kyoto Univ., 2.KAUST)
13:30 〜 13:45英語発表

[22p-21C-3]Integrated analysis of the A1(LO) and E2(high) modes in GaInN/GaN heterostructures by Raman spectroscopy

〇(DC)KhaingShwe TheeEi1, Tatsuya Asaji1, Bei Ma1, Daisuke Iida2, Mohammed A. Najmi2, Kazuhiro Ohkawa2, Yoshihiro Ishitani1 (1.Chiba Univ., 2.KAUST)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[22p-21C-4]時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定

〇伊藤 央祐1、森 恵人1、山口 敦史1、伊藤 まいこ2、幸田 倫太郎2、濱口 達史2 (1.金沢工業大学、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[22p-21C-5]PEDOT-LEDへの局在型表面プラズモン効果導入に関する検討

〇(B)坂本 龍星1、加藤 悠真1、伊藤 涼太郎1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、松山 絵美2、鈴木 敦志2 (1.名城大学、2.E＆Eエボリューション(株))
14:15 〜 14:30

[22p-21C-6]共振器長制御された高効率GaN系面発光レーザーの発光径依存性

〇柳川 光樹1、渡邊 琉加1、小林 憲汰1、西川 太一1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理)
14:45 〜 15:00

[22p-21C-7]GaN中の点欠陥が誘電関数に与える影響

〇河村 貴宏1、秋山 亨1 (1.三重大院工)
15:00 〜 15:15

[22p-21C-8]THz時間領域分光エリプソメトリを用いた電気特性測定におけるScAlMgO4基板上成長GaNの膜厚の影響

〇藤井 高志1,2、渡邉 迅登1、土田 海渡1、岩本 俊志2、福田 承生3、出浦 桃子1、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン、3.福田結晶技研)
15:15 〜 15:30

[22p-21C-9]ラマン分光法と誘電分散解析によるTi/Au電極付n形GaN半導体の高温電子物性解析

〇松田 拓大1、松下 広大1、須田 潤1 (1.中京大工)
15:30 〜 15:45

[22p-21C-10]ラマン分光法とFEM解析によるTi/Au電極付n形GaN半導体の熱応力解析

〇松下 広大1、松田 拓大1、須田 潤1 (1.中京大工)
15:45 〜 16:00

[22p-21C-11]Au-AlGaN表面マイクロストライプ構造からの縦光学様フォノンに共鳴する加熱輻射の観測

〇(B)吉川 大樹1、林 伯金1、Hnin Lai Lai Aye1、石谷 善博1 (1.千葉大工)
16:00 〜 16:15

[22p-21C-12]GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内光吸収過程の解析

〇野田 幸樹1、小林 憲汰1、今井 大地1、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)
16:15 〜 16:30

[22p-21C-13]光熱偏向信号の周波数依存性解析によるGaNの熱伝導率評価

〇野村 麻友1、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)
16:45 〜 17:00

[22p-21C-14]フォノン・励起子・輻射モデルにより解析したGaN/AlN量子井戸中2次元励起子の電子過程とフォノン過程の競合

〇(D)地崎 匡哉1、石谷 善博1 (1.千葉大院工)
17:00 〜 17:15

[22p-21C-15]低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程

〇嶋 紘平1、上殿 明良2、石橋 章司3、石黒 徹1、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.産総研CD-FMat)
17:15 〜 17:30

[22p-21C-16]GaN成長層･Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)

〇秩父 重英1、嶋 紘平1、上殿 明良2、石橋 章司3、田中 亮4、高島 信也4、上野 勝典4、江戸 雅晴4、渡邉 浩崇5、本田 善央5、須田 淳5、天野 浩5、加地 徹5、生田目 俊秀6、色川 芳宏6、小出 康夫6 (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.産総研CD-FMat、4.富士電機、5.名大IMaSS、6.物材機構)
17:30 〜 17:45

[22p-21C-17]GaN成長層･Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)

〇秩父 重英1、嶋 紘平1、上殿 明良2、石橋 章司3、田中 亮4、高島 信也4、上野 勝典4、江戸 雅晴4、渡邉 浩崇5、本田 善央5、須田 淳5、天野 浩5、加地 徹5、生田目 俊秀6、色川 芳宏6、小出 康夫6 (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.産総研CD-FMat、4.富士電機、5.名大IMaSS、6.物材機構)
17:45 〜 18:00

[22p-21C-18]BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価

〇嶋 紘平1、粕谷 拓生1、髙屋 竣大1、辻谷 陽仁1、原 和彦2、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.静大電子研/創造科学院)
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