講演情報
[22p-21C-16]GaN成長層･Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)
〇秩父 重英1、嶋 紘平1、上殿 明良2、石橋 章司3、田中 亮4、高島 信也4、上野 勝典4、江戸 雅晴4、渡邉 浩崇5、本田 善央5、須田 淳5、天野 浩5、加地 徹5、生田目 俊秀6、色川 芳宏6、小出 康夫6 (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.産総研CD-FMat、4.富士電機、5.名大IMaSS、6.物材機構)
キーワード：
窒化物半導体,GaN,発光寿命
R4年秋の講演に続き、GaN成長層･イオン注入層の空孔型欠陥と室温フォトルミネッセンス(PL)寿命に関して複数の文科省プロジェクトやその他の研究を通して得た知見を紹介する。