講演情報
[22p-21C-8]THz時間領域分光エリプソメトリを用いた電気特性測定におけるScAlMgO4基板上成長GaNの膜厚の影響
〇藤井 高志1,2、渡邉 迅登1、土田 海渡1、岩本 俊志2、福田 承生3、出浦 桃子1、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン、3.福田結晶技研)
キーワード：
テラヘルツ,GaN,エリプソメトリ
我々はTHz-TDSEを用い、単結晶基板上のGaN薄膜やグラフェンの非接触・非破壊での電気特性（電気伝導度、キャリア濃度、移動度）を測定できることを報告している。今回は、直径50mmSAM基板上にMBE法により膜厚の異なった1µm以下のGaNエピタキシャル膜を成長したサンプルを用いて、THz-TDSEとホール測定を実施し、膜厚の影響を調べた。