講演情報
[22p-21C-9]ラマン分光法と誘電分散解析によるTi/Au電極付n形GaN半導体の高温電子物性解析
〇松田 拓大1、松下 広大1、須田 潤1 (1.中京大工)
キーワード：
光物性,半導体
近年、パワー半導体デバイスは小型化・高性能化が進んでいる。特にGaNは高耐圧・低損失のデバイスが実現できるため、省エネルギー半導体パワーデバイスとして期待されている。本研究では、低転移GaN基板を用いた縦型SBDを想定し、Ti/Au電極付n型GaN半導体電極界面のラマン分光実験を室温から200℃までの温度領域で行った。得られたLOPCモードから電子物性解析を行い、電子密度、電子移動度、比抵抗の温度依存性を求めた。