3D・チップレットはAIとIoT社会の実現に不可欠であるが、この技術実現には半導体前工程と後工程先端実装工程の技術融合が必須である。本研究ではその挑戦の一環として、後工程実装で用いる層間絶縁膜材に「変性ポリフェニレンエーテル(m-PPE)」を用い¹⁾、その上にフォトリソ工程にて微細Viaエッチング用のマスクパターンを形成、誘導結合型(ICP)プラズマを用いたドライエッチングを試みた。図1は、エッチング深さ4.5 um、アスペクト比2.25を達成した結果を〆示す。この結果から、後工程実装分野に半導体微細加工技術を導入することで性能のみならず生産効率が大幅にアップする事を示唆する結果であると言える。