[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-1~18]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年3月22日(金) 13:30 〜 15:30

P04 (9号館)

[22p-P04-1]電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス

〇久保俊晴¹、小池貴也¹、神谷俊輝¹、江川孝志¹ (1.名大工)

[22p-P04-2]GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリのエンデュランス特性の評価

〇永瀬成範¹、高橋言緒¹、清水三聡¹ (1.産総研)

[22p-P04-3]高電圧パルスを用いたオーミック形成によるOn-Waferホール測定法

〇児玉和樹¹、上田大助¹、立林修²、増田誠³、アントニオフェルミン³、橋本忠朗⁴ (1.国立陽明交通大、2.山本技研、3.精研、4.シックスポイントマテリアルズ)

[22p-P04-4]チャネルにA l 添加した G aN MOSFET のしきい値における M g 濃度依存性

〇近藤剣¹、上野勝典¹、田中亮¹、高島信也¹、江戸雅晴¹、諏訪智之² (1.富士電機、2.東北大NICHe)

[22p-P04-5]Mgイオン注入後2段階アニールを行ったGaN中の伝導帯付近禁制帯内準位のMOS構造を用いた評価

〇羅宇瀏¹、畠山優希¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

英語発表

[22p-P04-6]Annealing in Oxygen ambient of In-based contact for Mg-doped p-GaN

〇MariaEmma Castil Villamin¹, Naotaka Iwata¹ (1.Toyota Tech Inst)

[22p-P04-7]MgとNのイオン共注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価

〇畠山優希¹、加地徹²、赤澤正道¹ (1.北大量集センター、2.名大未来材料・システム研)

[22p-P04-8]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(2)

〇新藤源大¹、畠山優希¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

[22p-P04-9]光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS界面の特性に対する界面形成プロセスの影響

〇焦一寧¹、忽滑谷崇秀¹、高津海¹、佐藤威友¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

[22p-P04-10]MHz動作GaNワイヤレス給電向け2次整流回路の検討

〇井手利英^1,2、清水三聡^1,2、高田徳幸¹ (1.産総研電子光、2.産総研GaN-OIL)

[22p-P04-11]FG構造を用いたGaN-MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト

〇李熙根¹、出来真斗²、陸順¹、渡邉浩崇³、藤元直樹³、新田州吾³、本田善央^1,2,3、天野浩^1,2,3 (1.名大院工、2.名大Dセンター、3.名大未来材料・システム研究所)

[22p-P04-12]GaN自立基板上に作製したmist-Al₂O₃/n-GaN構造の評価

〇谷田部然治¹、福光将也¹、ラズアンハディラ¹、尾藤圭悟¹、越智亮太²、中村有水¹、佐藤威友² (1.熊本大、2.北大量集センター)

[22p-P04-13]n-GaNの貴ガスプラズマ照射誘起欠陥の評価

〇桑山優太¹、藤綱真斗¹、田中和希¹、大島真弓¹、中村成志¹ (1.都立大SD)

[22p-P04-14]逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価 (2)

〇大島真弓¹、藤綱真斗¹、田中和希¹、桑山優太¹、中村成志¹ (1.都立大SD)

[22p-P04-15]Ni/n-GaNショットキー接触のI-V特性における変位電流の評価

〇今林弘毅¹、川西健太郎¹、太田博²、三島友義²、塩島謙次¹ (1.福井大院工、2.法政大)

[22p-P04-16]SiC pMOSFETのチャージポンピング法によるゲート酸化膜界面評価

〇阿野響太郎¹、角嶋邦之¹、星井拓也¹、筒井一生¹、若林整¹、依田孝¹、大場隆之¹ (1.東工大)

[22p-P04-17]通電劣化を抑制したダブルインプラSiCスーパージャンクションUMOSFET

〇竹中研介¹、俵武志¹、成田舜基²、原田信介¹ (1.産総研、2.富士電機)