講演情報
[22p-P04-12]GaN自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN構造の評価
〇谷田部 然治1、福光 将也1、ラズアン ハディラ1、尾藤 圭悟1、越智 亮太2、中村 有水1、佐藤 威友2 (1.熊本大、2.北大量集センター)
キーワード：
ミストCVD,GaN,ゲート絶縁膜
GaN基板上にエピタキシャル成長したn-GaN層上に低コストで酸化物薄膜が形成可能なミストCVD法によりAl2O3ゲート絶縁膜を堆積し、そのMOS界面特性の評価を行った。作製したキャパシタは絶縁膜容量まで達するC–V特性が得られ、比較的良好なAl2O3/GaN界面が得られている可能性が示唆された。ミストCVD法は既存のALD法よりも堆積速度が速く低コストな堆積法であるため、ミストCVD法が新たなゲート絶縁膜堆積手法として有望である可能性が示唆された。