講演情報
[22p-P04-15]Ni/n-GaNショットキー接触のI-V特性における変位電流の評価
〇今林 弘毅1、川西 健太郎1、太田 博2、三島 友義2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.法政大)
キーワード：
Ni/n-GaNショットキー接触,逆方向I-V特性,変位電流
本研究では、自立GaN基板上に作製したAu/Ni/nｰGaNショットキー接触に対し電圧掃引速度の異なるI-V測定を行い、変位電流の解析を行った。電圧を+1 Vから-100 Vに印加した場合、掃引速度に比例するほぼ一定の逆方向変位電流が観測された。一方、電圧掃引を逆にした場合、順方向変位電流が観測された。ショットキー接触の特性向上に伴い変位電流を考慮する必要性を示すことができた。