[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-16] SiC pMOSFETのチャージポンピング法によるゲート酸化膜界面評価

〇阿野 響太郎¹、角嶋 邦之¹、星井 拓也¹、筒井 一生¹、若林 整¹、依田 孝¹、大場 隆之¹ (1.東工大)

キーワード：

SiC-MOSFET