[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-17] 通電劣化を抑制したダブルインプラSiCスーパージャンクションUMOSFET

〇竹中 研介¹、俵 武志¹、成田 舜基²、原田 信介¹ (1.産総研、2.富士電機)

キーワード：

SiC,SJ,スーパージャンクション

トレンチゲート型のSiCスーパージャンクションMOSFET（SiC-SJ-UMOSFET）について、ダブルインプラ方式を用いて、通電電流密度1500A/cm2以上での通電劣化の更なる抑制を検討した。