講演情報
[22p-P04-2]GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリのエンデュランス特性の評価
〇永瀬 成範1、高橋 言緒1、清水 三聡1 (1.産総研)
キーワード：
窒化物半導体,量子井戸,不揮発メモリ
IoT社会及びSociety5.0の実現に向けて、不揮発メモリの更なる⾼性能化は重要である。我々は、GaN系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）でのサブバンド間遷移現象を用いることで、⾼速な不揮発メモリの実現を⽬指している。本発表では、Si(111)基板上に作製したGaN系RTDによる不揮発メモリのエンデュランス特性の評価結果とその特性改善に向けた設計指針を報告する。