[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-3] 高電圧パルスを用いたオーミック形成によるOn-Waferホール測定法

〇児玉 和樹¹、上田 大助¹、立林 修²、増田 誠³、アントニオ フェルミン³、橋本 忠朗⁴ (1.国立陽明交通大、2.山本技研、3.精研、4.シックスポイントマテリアルズ)

キーワード：

高電圧パルス,オーミック接触,ホール測定

Van der Pauw 法は様々な形状の半導体に適用できるが、試料の切り出しや電極の熱処理等を行うため、評価までに時間が掛かる。また、Wide bandgap半導体の場合、針の接触箇所は高耐圧のSchottky接触となり、必要な電流を流すことができない問題がある。
本研究では、高電圧・低電流パルスを印加することでAlGaN/GaNエピにオーミック接触を形成でき、シート抵抗測定を可能とした。また直交する８本のプローブ配置により簡易に測定できるホール測定装置を開発した。