講演情報
[22p-P04-4]チャネルにA l 添加した G aN MOSFET のしきい値における M g 濃度依存性
〇近藤 剣1、上野 勝典1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、諏訪 智之2 (1.富士電機、2.東北大NICHe)
キーワード：
GaN MOSFETs,しきい値,Alドープチャネル
チャネル領域にAlを添加したGaN MOSFETのしきい値Vthsに対するMg濃度依存性を調査した。Mg濃度に依存したVths変化がみられ、Vths=4.8 V、μFE=76 cm2/Vsを両立した。Mg濃度変化に対するVths変化は理論値とほぼ同じ傾向を示し、Al添加したチャネルであってもMg濃度によるしきい値制御が可能であることが示された。