[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-5] Mgイオン注入後2段階アニールを行ったGaN中の伝導帯付近禁制帯内準位のMOS構造を用いた評価

〇羅 宇瀏¹、畠山 優希¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

GaN,Mgイオン注入

GaNのパワーデバイス応用において、イオン注入技術の確立が望まれる。特に、Mgイオン注入により発生する欠陥について、その起源をよく調べ、制御方法を見出す必要がある。我々は、Mgイオン注入後、Al₂O₃キャップ層を用いる600℃での長時間アニールにより、Ga格子間原子（Ga_i）をキャップ層中に拡散させることができることを見出している。本報告においては、イオン注入後、高温での活性化アニール前に600℃でのキャップアニールを行う2段階アニールの、禁制帯内準位に与える効果を、MOS構造を用いて検討した結果を報告する。