セッション詳細
[22p-P05-1~3]15.6 IV族系化合物（SiC）
2024年3月22日(金) 13:30 〜 15:30
P05 (9号館)
[22p-P05-1]低 BPD 密度を有する 4H-SiC 結晶の多数枚ウエハー上への同時成長
〇福井 宏史1、浦田 勇輝1、岡田 陽平1、宮風 里紗1、松川 真也1、松島 潔1、吉川 潤1 (1.日本ガイシ(株))
[22p-P05-2]4H-SiCエピタキシャルウェハの3C積層欠陥のラマン解析
〇間所 結美1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2、藤谷 武史2 (1.京都工繊大、2.（株）日立ハイテク)
[22p-P05-3]4H-SiC PiN ダイオードで発生した対向三角形状積層欠陥の解析
〇太田 千春1、西尾 譲司1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)