講演情報
[22p-P07-27]MBE法を用いて成膜した高品質Ir(111)薄膜上のCVDグラフェン成長
〇橋本 恵里1、大沼 佑貴1、黒坂 洋人1、西尾 雄大1、松井 文彦2、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.分子研)
キーワード：
CVDグラフェン,分子線エピタキシー,イリジウム
本研究では、CVDグラフェン成長用Ir(111)薄膜の高品質化を図って、分子線エピタキシー法を用いたIr(111)薄膜の作製を行った。MBE法を用いて作製したIr(111)薄膜はこれまで用いたスパッタリング法で成膜した薄膜と比較して、表面平坦性と結晶性に極めて優れていることが実証された。さらに、CVD成長を行いIr(111)薄膜上にグラフェンが成長したことが明らかになり、CVDグラフェンの成長基板に適したIr(111)薄膜の作製に成功した。