講演情報
[22p-P07-30]厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
〇加藤 一朗1、久保 俊晴1、三好 実人1、江川 孝志1 (1.名工大)
キーワード：
グラフェン,FET,金属凝集法
我々はこれまでに金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリーグラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告した。また、転写フリーグラフェンを用いたFETを作製し、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認した。本研究ではグラフェンの電気特性改善のため、Niパターンを厚くしたサブミクロン間隔のNiパターン作製およびパターン間に作製した転写フリーグラフェンに縦向きに電流を流すことを試みたので、結果を報告する。