講演情報
[22p-P07-40]硫黄プラズマを用いた反応性スパッタリングによる種々の硫化物薄膜の作製
〇鈴木 一誓1、茂田井 大輝1、野上 大一1、小俣 孝久1 (1.東北大学)
キーワード：
層状化合物,硫化物半導体,反応性スパッタリング
SnSやWS2などの層状構造を有する硫化物半導体は光電変換素子などの応用が期待される。硫化物の薄膜化では、硫黄の蒸気圧が高いことから、硫黄が欠損した組成となりやすい。硫黄雰囲気やH2S雰囲気下でのポストアニールなどにより硫黄欠損の低減がはかられてきたが、硫黄の不均一な拡散や不純物水素の問題がある。本研究では、硫黄プラズマを供給しながら金属ターゲットをスパッタする手法により、種々の硫化物の薄膜を作製した。