講演情報
[22p-P07-44]多層h-BNのCVD成長における冷却速度の影響
〇(M1)横澤 翔太1、野島 翼1、日比野 浩樹1 (1.関西学院大理工)
キーワード：
二次元物質,六方晶窒化ホウ素
多層h-BNの成長メカニズムをより深く解明する目的のもと、化学気相成長（CVD）法を用いた多層h-BNの合成に、原料供給終了後の冷却速度が及ぼす影響を検証した結果について報告する。実験結果より、原料供給終了後にゆっくり冷却するほどh-BN層数が増加する傾向が確かめられた。よって、FeNi合金上でのh-BNのCVD成長において、その層数制御に、原料の基板への固溶と冷却中のそれらの表面析出を制御することの重要性が示された。