講演情報
[22p-P07-45]遷移金属触媒フリーでの絶縁体表面への六方晶窒化ホウ素結晶成長
〇牟田 幸浩1、杉浦 正仁1、松本 貴士1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
キーワード：
2D material,CFET,六方晶窒化ホウ素
h-BNの成膜には、多くの場合Fe, NiやCuといった遷移金属触媒を用いて金属膜上に結晶成長させる手法が多くとられる一方で、ロジックデバイス作製工程における不純物制御の観点では、機能材料として素子を構成する以外に金属を用いることは好ましくない。そこで我々は本発表にて、マイクロ波プラズマCVD装置により絶縁膜上へ遷移金属触媒フリーでh-BN結晶を直接成長する技術を開発したので報告する。