講演情報
[22p-P07-52]金属－絶縁体相転移材料を用いたMoS2の局所発光強度変調
〇(B)中山 航陽1、戸井田 尚大2、遠藤 尚彦1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、宮田 耕充2、松田 一成4、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.都立大理、3.物材機構、4.京大エネ研)
キーワード：
二次元半導体,二硫化モリブデン,二酸化バナジウム
直接遷移型半導体である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の単原子層は、強く束縛された励起子に由来する強い発光を示し、また二次元性によりその発光特性を電場やドーピングなどの外的影響によって制御可能なことからLEDなど様々なフォトニクスへの応用が期待されている。本研究では、~340 Kで構造相転移を伴う絶縁体―金属相転移を起こすVO2を基板として用いることで、単層MoS2の発光特性の制御を試みた。