講演情報
[22p-P07-55]ALD の実現に向けたオゾン処理と真空アニールによるWSe2への表面改質の評価
〇小島 拓也1、堀場 大輔1、柯 梦南1、青木 伸之1 (1.千葉大工)
キーワード：
二次元材料,遷移金属ダイカルコゲナイド,UVオゾン暴露
二次元半導体の中でも、p型チャネル材料として有望なWSe2に対してオゾン暴露を行うとp型ドーピング効果を示し、閾値電圧が＋側にシフトする。暴露後の真空加熱では、酸素の脱離によりオン電流が減少する。この処理を60分間繰り返した特性は処理前よりp型ドーピング効果を示した。これらの特性変化を明らかにするため，X線光電子分光や原子間力顕微鏡による観察も含め，表面改質とALDへの有効性について議論する。