講演情報
[22p-P07-56]セシウムと酸素で表面活性化した二次元 MoS2の光支援熱電子放出特性
〇後藤 有生1、荻野 明久1 (1.静大院工)
キーワード：
二硫化モリブデン,光支援熱電子放出,セシウム
MoS2は、1.2～1.8 eVの直接/間接遷移のバンドギャップを有する二次元層状の半導体であるため、光の相乗効果により熱電子エネルギー変換器の低温動作および高効率化が期待できる。また、MoS2表面へのCsおよび酸素の共蒸着により実効的な仕事関数を低減することで、電子放出特性の向上を見込める。本研究では、Csおよび酸素を共蒸着したMoS2表面からの光支援熱電子放出特性を測定し評価した。