講演情報
[22p-P07-61]TaS2のオゾン酸化によるTaOxの形成とゲート絶縁膜応用
〇(B)佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)
キーワード：
二次元物質,high-kゲート絶縁膜,TaS2
電界効果トランジスタ(FET)におけるゲート絶縁膜の極薄化は、FETのスケーリングにおける重要な課題の一つである。近年、二次元層状物質を酸化前駆体とすることで極薄かつ高誘電性のゲート酸化膜を形成する試みがなされている。本研究では、オゾン処理によるTaS2の酸化とその二次半導体FETのゲート絶縁膜としての応用可能性を探求した。