講演情報
[22p-P07-62]WSe2をチャネルとするディラックソースFETの作製
〇(B)細見 誓1、稲田 貢1、佐藤 伸悟1、谷 弘詞1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.物材機構、3.埼玉大院理工)
キーワード：
二次元半導体,ディラックソースFET,グラフェン
MOSFETにおけるサブスレッショルドスイング(SS)の理論下限値は室温で60 mV/dec.と予測されており、この理論限界の突破がFETの低消費電力化に向けた課題となっている。近年、この「60 mV/dec.限界」に囚われないFETの研究が活発に行われており、中でもディラック電子系であるグラフェンをソースに用いたディラックソースFET(DS-FET)が注目を集めている。本研究では、n型・p型の両極性を示すWSe2原子層をチャネルに用いることでDS-FETの作製を試みた。