[22p-P07-1~67] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[22p-P07-65] WSe₂/WO_xヘテロ構造における抵抗変化動作の電極材料依存性

〇(B)福島 脩平¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

二次元半導体,抵抗変化メモリ,WSe2

抵抗変化メモリ(ReRAM)は酸化物などの薄膜を電極で挟み込んだ二端子不揮発メモリである。近年、ReRAMの基盤材料として二次元材料が注目されている。我々は、これまでに二次元WSe2をオゾン処理することで得られる極薄のWOx膜をReRAMへと応用することを試みている。今回NiおよびAgを電極として用いてWSe2/WOx ReRAMを作製し、電極材料による動作メカニズムの違いを見出したので報告する。