セッション詳細
[23a-12H-1~11]6.1 強誘電体薄膜
2024年3月23日(土) 9:00 〜 12:00
12H (1号館)
吉村 武(阪公大)、 川江 健(金沢大)
[23a-12H-1]ゾルゲル法によるエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3多層構造薄膜の圧電特性
〇笠谷 厚太1、權 相曉1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
[23a-12H-2]水熱法で作製したPbTiO3 エピタキシャル膜のキュリー温度及び歪み緩和
〇(D)胡 雨弦1、岡本 一輝1、舟窪 浩1 (1.東工大物院)
[23a-12H-3]圧電薄膜積層MEMSアクチュエータへの応用を目指したPZT/LaNiO3/PZTエピタキシャル積層構造の作製
〇(B)加藤 創吉1、勅使河原 明彦1、吉田 慎哉1 (1.芝浦工大工)
[23a-12H-4]バッファ層の領域選択的ウェットエッチングを利用した単結晶・多結晶コンポジットPZT薄膜のスパッタ成膜
〇(B)片貝 有作1、勅使河原 明彦1、吉田 慎哉1 (1.芝浦工大工)
[23a-12H-5](100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における結晶構造のその場観察
〇(M2)中畑 美紀1、岡本 一輝1、石濱 圭佑1、清水 荘雄2、小金澤 智之3、仲谷 友孝3、坂田 修身3、山田 智明4,5、舟窪 浩1 (1.東工大、2.NIMS、3.JASRI、4.名古屋大、5.東工大 MDX)
[23a-12H-6]エピタキシャルPbTiO3薄膜を用いたブラッグ反射器型共振子の分極反転特性
〇(M1)下山 航1,2、島野 耀康1,2、國信 聡太1,2、柳谷 隆彦1,2,3,4 (1.早稲田大学、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)
[23a-12H-7]シード層膜厚がSi基板上(100)BiFeO3薄膜の結晶構造におよぼす影響
〇(B)高城 明佳1、Aphayvong Sengsavang1、高木 昂平1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)
[23a-12H-8]The effect of the seed layer thickness on the electrical properties of (100) BiFeO3 epitaxial films
〇(DC)Aphayvong Sengsavang1, Kohei Takaki1, Meika Takagi1, Norifumi Fujimura1, Takeshi Yoshimura1 (1.Osaka Metro. Univ.)
[23a-12H-9]電子線描画HSQをマスクに用いたBiFe0.9Co0.1O3ナノドットの作製
〇(B)中山 創1、吉川 浩太1、Lee Koomok1、安井 学2、金子 智2、黒内 正仁2、重松 圭1,2,3、東 正樹1,2,3 (1.東工大フロンティア材料研、2.KISTEC、3.東工大住友化学協働研究拠点)
[23a-12H-10]PLD法による強相関強誘電体YbMnO3薄膜の組成制御とその誘電特性に及ぼす影響
〇市川 颯大1、嶋本 健人1、葉山 琢充1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
[23a-12H-11]複数ターゲットPLDによるエピタキシャルYbFe2O4薄膜の組成制御
〇葉山 琢充1、嶋本 健人1、市川 颯大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)