講演情報
[23a-12H-5](100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における結晶構造のその場観察
〇(M2)中畑 美紀1、岡本 一輝1、石濱 圭佑1、清水 荘雄2、小金澤 智之3、仲谷 友孝3、坂田 修身3、山田 智明4,5、舟窪 浩1 (1.東工大、2.NIMS、3.JASRI、4.名古屋大、5.東工大 MDX)
キーワード：
圧電応答,正方晶PZT薄膜,ドメイン構造
Pb(Zr, Ti)O3(PZT)膜の圧電・強誘電特性の計算は単純なドメイン構造では広く検討されてきたが、マルチドメイン構造を持つ系の場合には、ドメイン間の相互作用などの存在によりこれまで十分な検討が行われてこなかった。本研究では、膜厚1400 nmの (100)/(001)配向正方晶PZT膜をSi基板上にエピタキシャル成長させた。電界印加下におけるドメインの面外格子定数および面内格子定数の変化を観察した。