[23a-12J-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:30 〜 11:45

[23a-12J-10] シリコン量子ドットの動的ゲート補償による高精度電荷転送

〇山端 元音¹、藤原 聡¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

シリコン,単電子,量子ドット

電流標準応用へ向け、単電荷ポンプの歩留まりの良い高精度動作が求められる。今回、2つのゲート電極に極性を反転させたクロック信号を印加し量子ドットポテンシャルの上昇を抑制するゲート補償をシリコン単電荷ポンプに適用し、数桁の精度向上を達成したので報告する。標準応用に望まれる精度に到達できる有用な技術であると期待できる。