セッション詳細
[23a-12J-1~12]13.5 デバイス/配線/集積化技術
2024年3月23日(土) 9:00 〜 12:15
12J (1号館)
小野 行徳(静大)、 藤原 聡(NTT)
[23a-12J-1]MOSFET寄生抵抗ばらつきの直接測定可能性検討
〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)
[23a-12J-2]MOSFETのミリケルビン温度帯サブスレッショルド特性の理論検討
〇浅井 栄大1、岡 博史1、稲葉 工1、下方 駿佑1、由井 斉1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、中山 隆1、森 貴洋1 (1.産総研)
[23a-12J-3]転移学習を活用したCryo-CMOS特性予測の可能性検討
〇稲葉 工1、千足 勇介1、小倉 実1、浅井 栄大1、更田 裕司1、岡 博史1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、森 貴洋1 (1.産総研)
[23a-12J-4]シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成
〇堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[23a-12J-5]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) -捕獲電子の再結合過程(Ⅲ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[23a-12J-6]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) -捕獲電子の再結合過程(Ⅳ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[23a-12J-7]等電子トラップ援用トンネル FET 型量子ドットの高温動作条件
〇飯塚 将太1、浅井 栄大1、加藤 公彦1、岡 博史1、服部 淳一1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)
[23a-12J-8]高集積 3 次元積層シリコン量子ビットにおける量子ドットの個別制御
〇二木 大輝1、金 駿午1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、小林 正治1,2、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.東大 d.lab)
[23a-12J-9]シリコン量子ビット素子のばらつき評価に向けた初期的検討
〇加藤 公彦1、浅井 栄大1、岡 博史1、飯塚 将太1、更田 裕司1、稲葉 工1、森 貴洋1 (1.産総研)
[23a-12J-10]シリコン量子ドットの動的ゲート補償による高精度電荷転送
〇山端 元音1、藤原 聡1 (1.NTT物性研)
[23a-12J-11]シャントインダクタを含む整合回路を用いた量子ドットのRF反射測定
〇溝口 来成1、松田 凌1、西山 伸平1、神岡 純2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大、2.三菱電機)
[23a-12J-12]Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment
〇(D)Chutian Wen1, Ryutaro Matsuoka1, Raisei Mizokuchi1, Jun Yoneda1, Tetsuo Kodera1 (1.Tokyo Tech)