セッション詳細

[23a-12J-1~12]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2024年3月23日(土) 9:00 〜 12:15
12J (1号館)
小野 行徳(静大)、 藤原 聡(NTT)

[23a-12J-1]MOSFET寄生抵抗ばらつきの直接測定可能性検討

〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)

[23a-12J-2]MOSFETのミリケルビン温度帯サブスレッショルド特性の理論検討

〇浅井 栄大1、岡 博史1、稲葉 工1、下方 駿佑1、由井 斉1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、中山 隆1、森 貴洋1 (1.産総研)

[23a-12J-3]転移学習を活用したCryo-CMOS特性予測の可能性検討

〇稲葉 工1、千足 勇介1、小倉 実1、浅井 栄大1、更田 裕司1、岡 博史1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、森 貴洋1 (1.産総研)

[23a-12J-4]シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成

〇堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)

[23a-12J-7]等電子トラップ援用トンネル FET 型量子ドットの高温動作条件

〇飯塚 将太1、浅井 栄大1、加藤 公彦1、岡 博史1、服部 淳一1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)

[23a-12J-8]高集積 3 次元積層シリコン量子ビットにおける量子ドットの個別制御

〇二木 大輝1、金 駿午1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、小林 正治1,2、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.東大 d.lab)

[23a-12J-9]シリコン量子ビット素子のばらつき評価に向けた初期的検討

〇加藤 公彦1、浅井 栄大1、岡 博史1、飯塚 将太1、更田 裕司1、稲葉 工1、森 貴洋1 (1.産総研)

[23a-12J-10]シリコン量子ドットの動的ゲート補償による高精度電荷転送

〇山端 元音1、藤原 聡1 (1.NTT物性研)

[23a-12J-11]シャントインダクタを含む整合回路を用いた量子ドットのRF反射測定

〇溝口 来成1、松田 凌1、西山 伸平1、神岡 純2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大、2.三菱電機)

[23a-12J-12]Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment

〇(D)Chutian Wen1, Ryutaro Matsuoka1, Raisei Mizokuchi1, Jun Yoneda1, Tetsuo Kodera1 (1.Tokyo Tech)