講演情報

9:15 〜 9:30

[23a-12J-2]MOSFETのミリケルビン温度帯サブスレッショルド特性の理論検討

〇浅井栄大¹、岡博史¹、稲葉工¹、下方駿佑¹、由井斉¹、更田裕司¹、飯塚将太¹、加藤公彦¹、中山隆¹、森貴洋¹ (1.産総研)

半導体,極低温動作CMOS,サブスレッショルド特性

本研究ではキャリア捕獲型の新しいバンド端準位モデルを構築し、極低温MOSFETのSS特性の数値シミュレーションを行った。