講演情報
[23a-12J-5]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) -捕獲電子の再結合過程(Ⅲ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
MOS界面,単一欠陥,チャージポンピング
これまで行ってきた9件の報告に引き続いて本講演では，両性準位（Donorlike準位とAcceptorlike準位）を有するMOS単一界面欠陥について，Type1およびType2の単一欠陥を用いることによってDonorlikeまたはAcceptorlike準位に捕獲された伝導帯電子の価電子帯ホールとの再結合時定数を求めその振舞いについて考察する．