[23a-12M-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

9:15 〜 9:30

[23a-12M-2] 真空蒸着法によるIn-Se膜の作製と基礎物性評価

〇新保 貴大¹、平井 太洋¹、後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

活性化エネルギー

近年、相変化メモリが注目されている。相変化メモリを構成するセレクタ素子にはGe-Si-As-Te系やGe-As-Se系などが使われている。これらを二元系カルコゲナイド材料で代替できれば、より簡単に組成制御が可能になり、製造コストの低下や信頼性の向上につながると考えられる。このような背景から、我々はIn-Se系化合物に着目した。真空蒸着によりIn-Se薄膜を作製し、熱処理による光学バンドギャップ、電気抵抗率、活性化エネルギーの変化を調べた。