セッション詳細
[23a-21C-1]m面GaN薄膜の表面処理による化学結合状態とCV特性変化
〇角谷 正友1、津田 康孝2、隅田 真人3、中野 由崇4、吉越 章隆2 (1.物材機構、2.原子力機構、3.理研AIP、4.中部大)
[23a-21C-2]GaN正ベベル終端形成のための選択成長結晶に対する逆テーパーエッチングの提案
〇大島 孝仁1、井村 将隆1、大島 祐一1、大石 敏之2 (1.NIMS、2.佐賀大)
[23a-21C-3]分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証
〇隈部 岳瑠1、吉川 陽2,3、川崎 晟也1、久志本 真希1、本田 善央3,4,5、新井 学3、須田 淳1,3、天野 浩3,4,5 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMaSS、4.名大Dセンター、5.名大IAR)
[23a-21C-7]窒化ガリウム結晶中の純粋な貫通らせん転位の非破壊での識別
〇原田 俊太1、川瀬 道夫1、瀬尾 圭介1、松原 康高1、水谷 誠也2、水谷 優也2、水谷 誠二2、村山 健太2 (1.名大、2.Mipox株式会社)
[23a-21C-8]炭素ドープしたOVPE-GaNの電気特性評価
〇宇佐美 茂佳1、東山 律子1、今西 正幸1、滝野 淳一2、隅 智亮2、岡山 芳央2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)
[23a-21C-9]GaN MOVPE成長における炉内圧力がTMGa分解と結晶中のC取り込みに及ぼす効果
〇渡邉 浩崇1、新田 州吾1、藤元 直樹1、川崎 晟也2、隈部 岳瑠2、本田 善央1、天野 浩1,3,4 (1.名大未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.名大Dセンター、4.名大IAR)