講演情報
[23a-21C-3]分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証
〇隈部 岳瑠1、吉川 陽2,3、川崎 晟也1、久志本 真希1、本田 善央3,4,5、新井 学3、須田 淳1,3、天野 浩3,4,5 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMaSS、4.名大Dセンター、5.名大IAR)
キーワード：
窒化アルミニウム,p-nダイオード,分極エンジニアリング
AlNおよび高Al組成AlGaNは次世代電子デバイス材料として注目されている。p-n接合は半導体デバイスの基本構成要素であるが、AlN系材料では不純物ドーピングによる伝導性制御が困難であるため、良好な電気特性を示すp-nダイオードは実現されていない。本研究では、窒化物半導体の分極効果を活用してp-n接合部分の固定電荷と内蔵電位を制御し、非常に良好な電気特性を示すAlN系p-nダイオードを実現したので報告する。