講演情報

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[23a-21C-5]N極性面AlN及びGaN/AlNのMOVPE成長

〇(M1C)古橋樹¹、Pristovsek Markus² (1.名大院工、2.名大未来研)

N極性面,結晶成長

N極性面を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)はより高性能な高周波デバイスとして期待される一方、N極性面での結晶成長の課題が存在する。
今回の発表では、MOVPEを用いたN極性面のAlN及びGaN/AlNヘテロ成長に関して、特に表面形状について報告する。