[23a-21C-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[23a-21C-6] 有機金属気相成長法による中間層フリーGaN極性反転積層構造の作製

〇池田 和久¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：

半導体,窒化物