講演情報
[23a-21C-7]窒化ガリウム結晶中の純粋な貫通らせん転位の非破壊での識別
〇原田 俊太1、川瀬 道夫1、瀬尾 圭介1、松原 康高1、水谷 誠也2、水谷 優也2、水谷 誠二2、村山 健太2 (1.名大、2.Mipox株式会社)
キーワード：
貫通転位,X線トポグラフィ,偏光観察
GaNには貫通転位が多く含まれており、その中でも刃状成分を含まない純粋な貫通らせん転位がリークの起点となることが報告されている。本研究では、我々はこれまでにSiC基板の貫通転位の観察において確立している、X線トポグラフィ法と偏光観察を組み合わせた貫通転位の評価技術をGaNに応用し、GaN結晶中の純粋な貫通らせん転位を、非破壊で識別することが可能であることとを実証した。