[23a-21C-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30

[23a-21C-9] GaN MOVPE成長における炉内圧力がTMGa分解と結晶中のC取り込みに及ぼす効果

〇渡邉 浩崇¹、新田 州吾¹、藤元 直樹¹、川崎 晟也²、隈部 岳瑠²、本田 善央¹、天野 浩^1,3,4 (1.名大未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

半導体,有機金属気相成長,不純物