講演情報

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[23a-22A-6]選択的イオン注入によるGe-on-Si(111)上歪みSiGeへのクラック発生の抑制

〇長尾優希¹、小田島綾華¹、井上貴裕¹、山田道洋^2,3、浜屋宏平^2,4、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.JST さきがけ、4.阪大 OTRI)

歪みSiGe,結晶成長,イオン注入