セッション詳細

[23a-32A-1~7]17.2 グラフェン

2024年3月23日(土) 9:30 〜 11:15
32A (3号館)
小幡 誠司(岡大)

[23a-32A-1]SiC基板上グラフェンのモフォロジーおよび層数制御

〇佐藤 京樹1、高村 誠1、森本 満1、前川 拓滋1、奥 良彰1、中原 健1、乗松 航2 (1.ローム株式会社、2.早大理工)

[23a-32A-2]SiC上グラフェンバッファー層の水素インターカレーションによる準安定構造

〇(M1)田中 夏帆1、梶原 悠矢1、ビシコフスキー アントン1、田中 悟1 (1.九州大学)

[23a-32A-3]Direct growth of graphene nanostructures on stainless steel by plasma CVD

〇(D)Siyu Jia1, Jun Kameoka1, Fumihiko Maeda2, Kenji Ueda1 (1.Waseda Univ., 2.FIT)

[23a-32A-4]絶縁体上への多層グラフェン配線の層交換合成

〇村田 博雅1、都甲 薫2、村上 勝久1、長尾 昌善1 (1.産総研、2.筑波大)

[23a-32A-5]CO2添加化学気相成長によるテンプレート上グラフェン層状成長

亀井 翔太1、姚 瑶1、〇井ノ上 泰輝1、小林 慶裕1 (1.阪大院工)

[23a-32A-6]Chemical vapor deposition of twisted bilayer graphene on commercial copper foils

〇SHENGNAN WANG1, Yoshitaka Taniyasu1 (1.NTT Basic Research Labs.)

[23a-32A-7]パーシステントホモロジーを用いたCVD グラフェンの成長過程の解析

〇小川 友以1、小嗣 真人2、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性科学基礎研、2.東理大)