[23a-52A-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

9:00 〜 9:15

[23a-52A-1] 3C-SiCと4H-SiCの交互エピタキシャル積層構造の形成

〇長澤 弘幸¹、武者 倫正²、櫻庭 政夫²、佐藤 茂雄² (1.株式会社CUSIC、2.東北大通研)

キーワード：

炭化珪素,ヘテロエピタキシー,整合界面

我々はSLE(Simultaneous Lateral Epitaxy)法を開発し、4H-SiC上に整合界面を介したSingl-domainの 3C-SiC エピ層成長技術を確立した。本研究では、デバイス設計にさらなる自由度を与えるため、SLE法をさらに改良して3C-SiC層上への4H-SiCエピ層成長を世界で初めて実現した。